首页> 外文会议>2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >Mg イオン注入したGaN の電気的特性の熱処理による変化(2)
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Mg イオン注入したGaN の電気的特性の熱処理による変化(2)

机译:热处理后注入镁离子的GaN的电性能变化(2)

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摘要

一般にはMg イオン注入によるGaN 中へのp 形領域形成は非常に難しく、その原因・rn機構については明らかになっていない。欠陥準位が発生してキャリアを補償している可能性があrnるが、原因を探るにあたっては、結晶成長時に発生する準位と、イオン注入により発生する欠陥rn準位、アニールによって生じる準位とを分けて評価すべきである。本報告においては、結晶成長rnによる欠陥の少ない自立基板上のGaN エピタキシャル成長層に低ドーズでMg イオン注入を行い、rn500℃という低い温度でのアニール前後の電気的特性を比較した結果を報告する。
机译:通常,通过Mg离子注入在GaN中形成p型区域非常困难,并且其原因和机理尚不清楚。有可能产生缺陷能级来补偿载流子。但是,为了调查原因,研究了晶体生长期间产生的能级,离子注入产生的缺陷能级和退火所产生的能级。应该与等级分开评估。在本报告中,我们报告了通过将低剂量的Mg离子注入到自支撑衬底上的GaN外延生长层中而注入的低剂量Mg离子,该退火前后在rn500℃低温下进行电性能比较的结果。

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