首页> 外文会议>2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >2段階作製法で製膜したe型Cul薄膜のパッシベーシヨン層開発 : へテロ接合型Si系太陽電池の新規正孔選択输送層として
【24h】

2段階作製法で製膜したe型Cul薄膜のパッシベーシヨン層開発 : へテロ接合型Si系太陽電池の新規正孔選択输送層として

机译:通过两步制造方法形成的e型Cul薄膜钝化层的开发:作为异质结型Si太阳能电池的新型空穴选择传输层

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摘要

近年,結晶Siに対しへテ口接合材料を用いてrnキャリアの選択的輸送を実現するへテロ接合型rnSi系太陽電池が大きな注目を集めている.へテ 口接合材料はそのバンド構造によりSi中の電子 または正孔を選択的に輸送するが,Siとの界面rnにおいて欠陥準位を形成しやすい.したがって, ヘテロ接合界面のパッシベーシヨンが太陽電池 を高効率ィ匕するための課題となっている.
机译:近年来,通过使用用于结晶Si的异质结材料实现rn载流子的选择性传输的异质结型rnSi太阳能电池备受关注。尽管选择性地在内部传输电子或空穴,但是容易在与Si的界面rn处形成缺陷能级,因此,异质结界面的钝化成为太阳能电池的高效率的问题。有。

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