4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィー·シミュレーション

机译：4H-SiC沟槽埋藏生长的形貌模拟

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これまでに4H-SiCトレンチ埋込成長におけるGibbs-Thomson (GT)効果（成長表面の平rn衡蒸気圧が曲率に依存する効果)を取り込んだ定常解析を報告した[1]。今回，市販シミュレ一タ[2, 3]にGT効果を取り入れ，トレンチ埋込成長形態の時間依存解析を行ったので報告する。

机译：到目前为止，我们已经报道了在4H-SiC沟槽掩埋生长中结合了吉布斯-汤姆森（GT）效应（生长表面上的平面蒸汽压取决于曲率的效应）的稳态分析[1]。在这里，我们报道了将GT效应并入了商业模拟器[2，3]，并对沟槽掩埋的生长形态进行了时变分析。

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来源
《2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集》|2018年|13.186|共1页
会议地点
作者
望月和浩; 紀世陽; 小杉亮治; 米澤喜幸; 奥村元;
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作者单位

産総研 k-mochiduki@aist.go.jp;

産総研;

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産総研;

産総研;

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4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィー·シミュレーション

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