多光子励起フォトルミネッセンス測定によるGaN結晶中の貫通転位の種別判定

机译：通过多光子激发光致发光测量对 r nGaN晶体中的位错进行分类

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GaN縦型パワーデバイスの実用化に向けて、低転位密度のGaN基板の作製技術が求められている。しかし、電気特性を悪化させる貫通転位の種類や性質はいまだ明らかにされていないばかりでなく、転位を簡便に観察する技術もなレヽ。我々は、多光子励起フォトルミネッセンス（MPPL) 法を用いてGaN基板中の貫通転位を三次元ィメージングできることをすでに報告している[1]。本研究では、このMPPL法を用いて、貫通転位の種別判定を試みた。

机译：对于GaN垂直功率器件的实际应用，需要一种用于低位错密度的GaN衬底的制造技术。然而，不仅尚未弄清使电性能变差的螺纹位错的类型和性质，而且还存在易于观察到位错的技术。我们已经报道了可以使用多光子激发光致发光（MPPL）方法对GaN衬底中的位错进行三维成像[1]。在这项研究中，我们尝试使用此MPPL方法确定线程脱位的类型。

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来源
《2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集》|2018年|13.189|共1页
会议地点
作者
谷川智之; 吉田丈洋; 松岡隆志;
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作者单位

東北大金研 tanikawa@imr.tohoku.ac.jp;

サイオクス;

東北大金研;

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