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首页> 外文会议>2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >ポストアニールがBaSi2 光吸収層の欠陥準位に及ぼす影響
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ポストアニールがBaSi2 光吸収層の欠陥準位に及ぼす影響

机译：后退火对BaSi2光吸收层缺陷水平的影响

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我々は薄膜太陽電池の新材料としてBaSi2 に注目している。rnBaSi2 は太陽電池に適した禁制帯幅（Eg=1.3 eV）をもち、光吸収係rn数は1.5 eV の光子エネルギーに対してα=3×104 cm-1、少数キャリrnア拡散長は約10 μm とどちらも薄膜太陽電池として十分大きいrn[1,2]。さらに過去の研究においてa-Si で表面パッシベーションを施rnすことで少数キャリア寿命が10 μs に向上し[3]、p-BaSi2-Si ヘテrnロ接合太陽電池において変換効率9.9 %を達成した[4]。高効率化にrn向けてホモ接合太陽電池の作製を目指しており、欠陥密度の少なrnいBaSi2 光吸収層が必要不可欠である。本研究では光吸収層としrnて期待されるundoped-BaSi2 に対して欠陥準位評価を行い、さらにrnポストアニールによる影響を調べた。
机译：我们将重点放在BaSi2作为薄膜太阳能电池的新材料上。 rnBaSi2具有适合太阳能电池的禁带宽度（Eg = 1.3 eV），光子能量为1.5 eV时光吸收系数rn为α= 3×104 cm-1，少数载流子扩散长度约为两者均为10μm，其与薄膜太阳能电池rn [1,2]足够大。此外，在先前的研究中，用a-Si rn进行的表面钝化将少数载流子寿命提高到10μs[3]，并且在p-BaSi2 / n-Si异质结太阳能电池中实现了9.9％的转换效率。 [4]我们旨在制造具有更高效率的同质结太阳能电池，并且低缺陷密度的BaSi2光吸收层必不可少。在这项研究中，对未掺杂的BaSi2的缺陷水平进行了评估，预计将其作为rn作为光吸收层，并研究rn后退火的影响。

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