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首页> 外文会议>2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >p型BaSi2/ n型結晶Si太陽電池の開放電圧向上に向けた 真空蒸着法における蒸発初期過程の制御
【24h】

p型BaSi2/ n型結晶Si太陽電池の開放電圧向上に向けた 真空蒸着法における蒸発初期過程の制御

机译：真空蒸发法中蒸发初始过程的控制以提高p型BaSi2 / n型晶体硅太阳能电池的开路电压

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ヘテロ接合型太陽電池の研究において、より高いキヤリァ選択性をもつ材料を探索するrnことは重要である。我々はデバイスシミュレーションによりp型BaSi2(p-BaSi2)がホール選択層と して有望であると示した[1]。 p-BaSi2を大面積に堆積可能な手法として、プラズマ援用化学気相成 長法(PECVD)によりBドープa-Si:Hを堆積した後、真空蒸着法によりBaSi2を堆積することを提 案し検討を進めてきた[2]。これまでの研究により、BaSi2の蒸発の初期段階で、ソース加熱を低い 温度で一定時間保つことでBa過剰な蒸気[3]を一定量蒸発させ、その後加熱温度を上げることで、 p-BaSi2-Siヘテロ界面の特性と開放電圧(Foc)が向上するという知見を得ている[4]。そこで、本研 究ではBa過剰な蒸気を飛ばす初期過程をより詳細に制御することで、Focにどのような影響を及 ぼすか調査した。
机译：在异质结太阳能电池的研究中，重要的是寻找具有更高载流子选择性的材料。通过器件仿真，我们已经证明p型BaSi2（p-BaSi2）有希望作为空穴选择层[1]。作为能够在大面积上沉积p-BaSi 2的方法，提出了通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）来沉积B掺杂的a-Si：H，然后通过真空沉积来沉积BaSi 2的方法。已经对其进行了检查[2]。根据目前进行的研究，在蒸发BaSi2的初始阶段，通过将源加热在低温下保持一定的时间，以蒸发一定量的Ba过量蒸汽[3]，然后升高加热温度p-BaSi2 /我们发现n-Si异质界面的特性和开路电压（Foc）得到了改善[4]。因此，在这项研究中，我们通过更详细地控制吹入过量Ba蒸气的初始过程，研究了其对Foc的影响。

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