アモルファス相を含むSi -Ge系薄膜の熱伝導率測定

机译：含非晶相的Si-Ge薄膜的热导率测量

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シリコンゲルマニウム（Si-Ge)は800℃以上の高温域で高い熱電変換性能を示すことが知られる実用熱電材料である.我々のグループでは，高い出力因子と低い熱伝導率の両立を目指して，アモルファス相にナノ粒子が分散したSi-Ge系ナノコンポジット材料を薄膜およびバルタで作製し，その熱電特性の評価を進めている.

机译：硅锗（Si-Ge）是一种实用的热电材料，已知在800°C以上的高温下表现出高热电转换性能。在我们的小组中，我们旨在实现高功率因数和低热导率。我们正在制造其中纳米颗粒分散在薄膜和巴尔塔中的非晶相中的Si-Ge纳米复合材料，并正在评估其热电性能。

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来源
《2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集》|2018年|8.99|共1页
会议地点
作者
西野俊佑; 竹内恒博;
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作者单位

豐田工大 s_nishino@toyota-ti.ac.jp;

豐田工大;

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