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首页> 外文会议>2018年第65回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 >積層SAM/HfOx ゲート絶縁膜を用いたMoS2 FET の作製
【24h】

積層SAM/HfOx ゲート絶縁膜を用いたMoS2 FET の作製

机译：使用SAM / HfOx叠层栅极绝缘膜制作MoS2 FET

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自己組織化単分子膜(Self-AssembledrnMonolayer:SAM)は、固体表面上に有機分子が自rn発的に集合して形成される、緻密かつ配向が揃っrnた分子層1 層分の結晶膜である[1]。未結合手がrn無い2 次元結晶膜のSAM を電界効果トランジスrnタ(FET)のゲート絶縁膜に用いることで、界面のrn構造欠陥、化学反応や原子拡散といった問題を一rn気に解決し、優れた界面特性を実現できる[2]。rn本研究では、従来のアルミニウム酸化物よりも高rnい誘電率を有するハフニウム酸化物とSAMの積rn層絶縁膜を作製し、層状半導体材料である二硫化rnモリブデン(MoS2)をチャネル層に用いたFET のrn特性評価について報告する[3]。
机译：自组装单分子膜（SAM）是具有一层致密分子层的结晶膜，该分子层是通过将有机分子自发组装在固体表面上而形成的。有[1]。通过使用没有悬空键的二维晶体膜SAM作为场效应晶体管（FET）的栅极绝缘膜，可以立即解决诸如界面处的结构缺陷，化学反应和原子扩散等问题。 ，可以实现优良的界面性能[2]。在本研究中，制备了具有比常规氧化铝更高的介电常数的氧化ha和SAM的rn层绝缘膜，并且使用层状半导体材料二硫化钼（MoS2）作为沟道层。所使用的FET的rn特性已有报道[3]。

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