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首页> 外文会议>Proceedings vol.2005-08; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices(SBMICRO 2005); 200509; >POTENTIAL OF IMPROVED GAIN IN OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER USING 0.5 μm GRADED-CHANNEL SOI nMOSFET FOR APPLICATIONS IN THE GIGAHERTZ RANGE
【24h】

POTENTIAL OF IMPROVED GAIN IN OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER USING 0.5 μm GRADED-CHANNEL SOI nMOSFET FOR APPLICATIONS IN THE GIGAHERTZ RANGE

机译：使用0.5μm梯度通道SOI nMOSFET改善了操作跨导放大器的增益，适用于吉赫兹范围

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This paper studies the potential of improved voltage gain CMOS Operational Transconductance Amplifiers (OTAs) implemented with Graded-Channel (GC) SOI nMOSFETs for applications in the gigahertz range at room temperature using 0.5 μm long transistors. Two different design targets were taken in account, regarding similar transconductance over drain current ratio, power dissipation and die area. Comparisons with OTAs made with conventional SOI nMOSFETs are performed showing that the GC OTAs present larger open-loop voltage gain without degrading unit voltage gain frequency and phase margin. SPICE simulations are used to demonstrate the analysis.
机译：本文研究了采用梯度沟道（GC）SOI nMOSFET实施的改进的电压增益CMOS运算跨导放大器（OTA）的潜力，适用于室温下使用0.5μm长的晶体管在千兆赫兹范围内的应用。考虑了两个不同的设计目标，涉及跨导，漏电流比，功耗和管芯面积相似。与传统SOI nMOSFET制成的OTA进行了比较，结果表明GC OTA具有较大的开环电压增益，而不会降低单位电压增益的频率和相位裕度。 SPICE仿真用于演示分析。

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