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首页> 外文会议>Proceedings vol.2005-08; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices(SBMICRO 2005); 200509; >SIMULATING NANODEVICES WITH THE TRANSFER MATRIX METHOD
【24h】

SIMULATING NANODEVICES WITH THE TRANSFER MATRIX METHOD

机译：用转移矩阵法模拟纳米器件

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In this paper an analysis of two nanodevices, the nanowire with periodic potential barriers and the multiple-gate stub transistor, is carry out by using the transfer matrix method. The single stub transistor presents the shortcoming of requiring highly precise gate voltage to close the channel. The multiple-gate stub configuration can be used to reduce this problem. Now, we demonstrate, using the transfer matrix method, that no significative increase of the blocked transmission bands is obtained for more than five stubs in the multiple-gate quantum stub transistor. A comparative study between the transfer matrix method and Green function iterative method is also presented.
机译：本文使用转移矩阵方法对两个具有周期性势垒的纳米线和多栅极短管晶体管的纳米器件进行了分析。单根短管晶体管的缺点是需要高精度的栅极电压来关闭沟道。可以使用多门存根配置来减少此问题。现在，我们证明，使用转移矩阵方法，对于多栅极量子短截线晶体管中的五个以上的短截线，未获得阻塞传输带的显着增加。还对传递矩阵法与格林函数迭代法进行了比较研究。

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