Centra de Componentes Semicondutores - CCS, UNICAMP, C.P. 6061, CEP 13083-870, Campinas, SP, Brasi!;
Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" - IFGW, UNICAMP, CEP 13083-970, Campinas, SP, Brasil;
机译:过渡金属的石墨化能力通过化学气相沉积催化碳纳米管生长的分子动力学研究
机译:通过射频等离子体增强化学气相沉积法低温生长碳纳米结构(通过RF-PECVD低温生长碳纳米结构)
机译:碳纳米管在不同金属底层上的热化学气相沉积(T-CVD)生长
机译:通过金属催化通过热化学气相沉积碳纳米结构的生长
机译:金属有机化学气相沉积和激光光化学气相沉积对III-V族化合物半导体材料的生长和表征
机译:在Nafion负载的电化学沉积钴纳米粒子上进行等离子体增强化学气相沉积产生的金属/碳杂化纳米结构
机译:从等离子体增强的化学气相沉积在Nafion-Hasted的电化学沉积的钴纳米粒子中产生的金属/碳杂合纳米结构