Microelectronics and MEMS Research Laboratory, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036;
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Madras, Chennai 600036;
extraction of material properties; young's modulus; residual stress; pull-in voltage; off-capacitance; pullout voltage; cantilever; double supported; intellisuite;
机译:通过测量梁的引入电压和关断电容来提取结构材料的杨氏模量和残余应力
机译:使用无容器技术的原位量子束和热物理性质测量研究无序材料的结构和动力学
机译:测量微细薄膜力学性能的新方法-束拉电压(V-PI)和长束挠度(LBD)方法
机译:一种新型技术,用于通过测量梁的拉伸电压和横截面的剥离电压提取材料特性
机译:高电阻材料的电子束感应表面电压的原位测量。
机译:基于表面波测量估算材料的粘弹性:技术和建模假设的比较
机译:包括材料沉积约束的微束引入电压拓扑优化
机译:材料属性测量。任务2,测量技术库