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首页> 外文会议>Second International Workshop on System-on-Chip for Real-Time Applications, Jul 6-7, 2002, Banff, Alberta >Survey of Emerging Nonvolatile Embedded Memory Technologies
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Survey of Emerging Nonvolatile Embedded Memory Technologies

机译：新兴的非易失性嵌入式存储器技术概述

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Embeddable nonvolatile memory (NVM) could play an important part in the success of System-on -Chip (SoC) technology. Flash memory, which is presently the dominant NVM type, is available as an option for standard CMOS processes; however, flash memory has undesirable properties for potential SoC application including a relatively slow write time, limited write cycle endurance, and the requirement for high-voltage supplies and transistors. This article briefly surveys three emerging NVM technologies ―ferroelectric memory (FeRAM), magnetoresistive memory (MRAM), and ovonic unified memory (OUM)―that could potentially replace flash memory, and possibly also much of the volatile memory, in future SoC designs.
机译：嵌入式非易失性存储器（NVM）可能在片上系统（SoC）技术的成功中发挥重要作用。闪存是目前最主要的NVM类型，可作为标准CMOS工艺的选件。但是，闪存具有潜在的SoC应用所不希望的特性，包括相对较慢的写入时间，有限的写入周期耐久性以及对高压电源和晶体管的需求。本文简要介绍了三种新兴的NVM技术-铁电存储器（FeRAM），磁阻存储器（MRAM）和电子统一存储器（OUM）-在未来的SoC设计中，它们有可能替代闪存以及大部分易失性存储器。

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