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首页> 外文会议>Sixth International Conference on Solid State Lighting >Effect of argon annealing of phosphorus-doped ZnO and (Zn,Mg)O thin films grown pulsed laser deposition
【24h】

Effect of argon annealing of phosphorus-doped ZnO and (Zn,Mg)O thin films grown pulsed laser deposition

机译：氩掺杂退火对掺磷ZnO和（Zn，Mg）O薄膜生长的影响

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The transport and annealing properties of phosphorus-doped (Zn,Mg)O thin films grown via pulsed laser deposition (PLD) are studied. The electron carrier concentration for (Zn,Mg)O:P films decreases with increasing deposition and Ar annealing temperature. All the films exhibit good crystallinity with c-axis orientation. This result indicates the importance of activation of the P dopant in (Zn,Mg)O:P films. The as-deposited ZnO:P film properties show less dependence on the deposition growth temperatures. The resistivity of the (Zn,Mg)O:P films is significantly higher than the ZnO:P films grown under similar conditions, indicating separation of the conduction band edge relative to the defect donor state. The annealed ZnO:P films are n-type with resistivity dependent on annealing temperature.
机译：研究了通过脉冲激光沉积（PLD）生长的掺磷（Zn，Mg）O薄膜的输运和退火性能。 （Zn，Mg）O：P薄膜的电子载流子浓度随着沉积和Ar退火温度的升高而降低。所有的薄膜在c轴方向上都显示出良好的结晶度。该结果表明在（Zn，Mg）O∶P膜中激活P掺杂剂的重要性。沉积后的ZnO：P薄膜特性显示出对沉积生长温度的依赖性较小。 （Zn，Mg）O：P膜的电阻率明显高于在类似条件下生长的ZnO：P膜，表明导带边缘相对于缺陷施主状态的分离。退火后的ZnO：P膜为n型，其电阻率取决于退火温度。

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