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首页> 外文会议>Solar Energy Research at the Hahn-Meitner-Institute : Abstract >THIN FILM SOLAR CELLS BASED ON LAYERED CHALCOGENIDES: FUNDAMENTALS AND PERSPECTIVES OF VAN DER WAALS EPITAXY
【24h】

THIN FILM SOLAR CELLS BASED ON LAYERED CHALCOGENIDES: FUNDAMENTALS AND PERSPECTIVES OF VAN DER WAALS EPITAXY

机译：基于层状硫族化物的薄膜太阳能电池：范德华表位的基本原理和观点

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摘要

The preparation of thin films of layered chalcogenide semiconductors as MX and MX_2 (X=S, Se) based on the concept of van der Waals epitaxy (VDWE) is presented for different substrate/overlayer combinations as GaSe, InSe, SnSe_2, WS_2 on WSe_2, GaSe, MoTe_2, graphite and mica. In all cases stoichiometric films are formed either as epitaxial layers or strongly textured films with the c-axis aligned in spite of strong lattice mismatch. The interfaces are non-reactive and atomically abrupt. The electronic properties of the interfaces are mostly ideal showing band offsets according to the electron affinity rule and no operative interface states. However, doping of the films is still a problem which limits the band bending and the attainable surface photovoltage. The perspectives and preconditions for the further development of layered semiconductor VDWE films for solar cells will be critically discussed.
机译：提出了基于范德华外延（VDWE）概念的层状硫族化物半导体薄膜MX和MX_2（X = S，Se）的制备方法，适用于WSe_2上的GaSe，InSe，SnSe_2，WS_2等不同衬底/上层组合，GaSe，MoTe_2，石墨和云母。在所有情况下，尽管有很强的晶格失配，化学计量膜还是形成为外延层或具有强烈纹理的膜，其c轴对齐。接口是非反应性的，原子上是突变的。界面的电子性质最理想，根据电子亲和力规则显示出带偏移，并且没有有效的界面状态。然而，膜的掺杂仍然是限制带弯曲和可获得的表面光电压的问题。将深入讨论进一步开发用于太阳能电池的分层半导体VDWE膜的观点和前提。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Stutenhaus(DE)
  • 作者

    W. Jaegermann; C. Pettenkofer; O. Lang; R. Schlaf; S. Tiefenbacher; Y. Tomm;

  • 作者单位

    Abteilung Grenzflaechen, Bereich Physikalische Chemie, Hahn-Meitner-lnsitut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin, Germany;

    Abteilung Grenzflaechen, Bereich Physikalische Chemie, Hahn-Meitner-lnsitut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin, Germany;

    Abteilung Grenzflaechen, Bereich Physikalische Chemie, Hahn-Meitner-lnsitut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin, Germany;

    Abteilung Grenzflaechen, Bereich Physikalische Chemie, Hahn-Meitner-lnsitut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin, Germany;

    Abteilung Grenzflaechen, Bereich Physikalische Chemie, Hahn-Meitner-lnsitut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin, Germany;

    Abteilung Grenzflaechen, Bereich Physikalische Chemie, Hahn-Meitner-lnsitut, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin, Germany;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 太阳能技术;
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