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Rad-hard, Ultra-fast, InGaAs Photodiodes for Space Applications

机译：适用于太空应用的抗辐射超快InGaAs光电二极管

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We have manufactured rad-hard, InGaAs photodiodes using our proprietary Dual-Depletion Region (DDR) technology with bandwidths exceeding 10 GHz. The devices demonstrate high reliability and superior RF performance, thus, making them ideal for deployment in space for applications such as LIDAR and optical intersatellite links. The responsivity at 1064 nm is > 0.45 AAV with optical return loss of 40 dB. The photodiodes have broad wavelength coverage from 800 nm to 1700 nm, and thus can be used at several wavelengths such as 850 nm, 1064 nm, 1310 nm, 1550 nm, and 1620 nm. The InGaAs photodiodes exhibit very low Polarization Dependence Loss (PDL) of 0.05 dB typical to 0.1 dB maximum. The typical Failure-in-time (FIT) values of these photodiodes are 0.011 and 15.384 at 25℃ and 75℃ respectively. FIT is defined as the number of failures per billion hours of operation. The photodiodes have been tested for different radiation tests such as 50 kRad gamma (Co 60) and protons with a fluence of 3 x 10~(11) p/cm~2, and have passed typical qualification levels of random vibration.
机译：我们使用专有的双耗尽区（DDR）技术制造了抗辐射的InGaAs光电二极管，带宽超过10 GHz。这些器件具有很高的可靠性和出色的RF性能，因此使其非常适合在空间部署，以用于LIDAR和卫星间光链路等应用。 1064 nm处的响应度> 0.45 AAV，光回波损耗为40 dB。光电二极管具有从800 nm到1700 nm的宽波长范围，因此可以在诸如850 nm，1064 nm，1310 nm，1550 nm和1620 nm的几种波长下使用。 InGaAs光电二极管表现出非常低的偏振相关损耗（PDL），典型值为0.05 dB至最大0.1 dB。在25℃和75℃时，这些光电二极管的典型时间失效（FIT）值分别为0.011和15.384。 FIT定义为每十亿小时运行中的故障数。光电二极管已针对各种辐射测试进行了测试，例如50 kRad伽玛（Co 60）和质子通量为3 x 10〜（11）p / cm〜2的质子，并通过了典型的随机振动鉴定标准。

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