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首页> 外文会议>Symposium on Electronics on Unconventional Substrates―Electrotextiles and Giant-Area Flexible Circuits Dec 2-3, 2002 Boston, Massachusetts, U.S.A. >High Performance Polymer Thin Film Transistors Array Printed on a Flexible Polycarbonate Substrate
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High Performance Polymer Thin Film Transistors Array Printed on a Flexible Polycarbonate Substrate

机译：在柔性聚碳酸酯基板上印刷的高性能聚合物薄膜晶体管阵列

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High performance poly (3-hexylthiophene) (P3HT) thin film transistors (TFTs) array was fabricated on a polycarbonate substrate by micro-contact printing method. A thin polyimide layer (40 nm) was applied before silicon oxide deposition to improve the electrical properties of the TFT device. Also, the effects of O_2 plasma treatment on the field effect mobility and output current behaviors of the devices were investigated. By plasma treatment, the surface roughness of gate dielectric was improved which accounts for the increased field effect mobility and the hole Schottky barrier height in electrode/semiconductor interface was lowered resulting in large drain current in the device. Based on the experiments, we fabricated P3HT TFTs array with 0.025 cm~2/V-s in saturation field effect mobility and on/off current ratio of 10~3 ～ 10~4 on a polycarbonate substrate.
机译：通过微接触印刷法在聚碳酸酯基板上制备了高性能聚（3-己基噻吩）（P3HT）薄膜晶体管（TFT）阵列。在沉积氧化硅之前，先施加一个薄的聚酰亚胺层（40 nm），以改善TFT器件的电性能。此外，还研究了O_2等离子体处理对器件场效应迁移率和输出电流行为的影响。通过等离子体处理，改善了栅极电介质的表面粗糙度，这是由于场效应迁移率增加而引起的，电极/半导体界面中的空穴肖特基势垒高度降低了，从而导致器件中的大漏极电流。在实验的基础上，我们在聚碳酸酯基板上制备了具有0.025 cm〜2 / V-s的饱和场效应迁移率和开/关电流比为10〜3〜10〜4的P3HT TFT阵列。

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