Electronic doping in epitaxial Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O_3/SrRuO_3 heterostructures using a ferroelectric field effect

机译：利用铁电场效应在外延Pb（Zr_0.52Ti_0.48）O_3 / SrRuO_3异质结构中进行电子掺杂

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We report on ferroelectric field effect experiments in ultrathin layers of the metallic perovskite SrRuO_3 using Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O_3/SrRuO_3 epitaxial heterostructures. Switching the ferroelectric polarization of the Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O-3 layer induces a approx 10

机译：我们报告了使用Pb（Zr_0.52Ti_0.48）O_3 / SrRuO_3外延异质结构在金属钙钛矿SrRuO_3的超薄层中进行的铁电场效应实验。切换Pb（Zr_0.52Ti_0.48）O-3层的铁电极化可感应约10

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来源
《Symposium on Epitaxial Oxide Thin Films III March 31-April 2, 1997, San Francisco, California,U.S.A》|1997年|p.313-320|共8页
会议地点 San Francisco CA(US)
作者
C.H.Ahn; T.Tybell; L.Antognazza; K.Char; M.R.Beasley;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般工业技术;
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