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首页> 外文会议>Symposium on Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors-1998 held November 30-December 3, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A. >Nanoparticle precursors for electronic materials
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Nanoparticle precursors for electronic materials

机译：电子材料的纳米粒子前体

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The use of nanoparticle precursors for electronic materials including sulfides, selenides, oxides and the elements has potentially wide ranging implications for improving device properties and substantially reducing the deposition costs. To realize this goal the complex interfacial chemistry of these small particles must be controlled. In this paper we present a number of cases demonstrating the complexity of this chemistry. These include CuInSe_2 where the kinetics of phase formation dominate the sintering process; CdTe where sintering proceeds with and without the sintering enhancement of CdCl_2, but produces materials different electronically than bulk materials; and the use of compound and elemental nanoparticles (Ag, Al, Hg-Cu-Te and Sb-Te) for contacts to elemental and compound semiconductors (Si and CdTe).
机译：将纳米颗粒前体用于包括硫化物，硒化物，氧化物和元素的电子材料对于改善器件性能和实质上降低沉积成本具有潜在的广泛影响。为了实现这个目标，必须控制这些小颗粒的复杂界面化学。在本文中，我们提出了许多案例，证明了这种化学反应的复杂性。这些包括CuInSe_2，其中相形成的动力学控制着烧结过程。 CdTe，在进行烧结的过程中，无论是否进行CdCl_2的烧结增强，但电子产生的材料与块状材料不同；以及化合物和元素纳米颗粒（Ag，Al，Hg-Cu-Te和Sb-Te）与元素和化合物半导体（Si和CdTe）接触的用途。

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