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首页> 外文会议>Symposium on Power Semiconductor Materials and Devices December 1-4, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A. >PLD epitaxial IiN and Pt omghic metallizations to p-type 6H-SiC using focused in beam surface modification
【24h】

PLD epitaxial IiN and Pt omghic metallizations to p-type 6H-SiC using focused in beam surface modification

机译：使用聚焦束表面改性将PLD外延IiN和Pt杂化金属化为p型6H-SiC

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The development of low resistance ohmic metallizations to p-type 6H-SiC using a novel approach offoused ion beam (FIB) surface-modification and ex-situ epitaxial pulsed laser depositon (PLD) of TiN and Pt without further annealing, is reported. The FIB(Ga) surface-modification and ex-situ epitaxial TiN and Pt PLD metallizations showed a significant reduction in contact resistance with sruface-modification, reaching a minimum contact resistance value of 4.4x10~(-5) Ohm cm~2 for the TiN system at an ion dose of 5.0x10~(16) ions/cm~2 and energy of 20 KeV. This contact resistance value is one of the lowest values reported to date. The Pt system showed increased contact resistance values as compared with the TiN, and reached minimum values for lower ion doses. The contact reistance values reported here are comparable to or lower than those reported for conventionally deposited and annealed contacts to p-type SiC.
机译：报道了使用新型方法离子化离子束（FIB）表面修饰和TiN和Pt的非原位外延脉冲激光沉积（PLD）无需进一步退火，即可开发出低电阻欧姆金属化层，以形成p型6H-SiC。 FIB（Ga）的表面改性以及非原位外延TiN和Pt PLD金属镀层的表面接触改性显着降低了接触电阻，使接触电阻的最小接触电阻值为4.4x10〜（-5）Ohm cm〜2。 TiN系统的离子剂量为5.0x10〜（16）离子/ cm〜2，能量为20 KeV。该接触电阻值是迄今为止报告的最低值之一。与TiN相比，Pt系统显示出增加的接触电阻值，并且对于较低的离子剂量，达到了最小值。此处报道的接触电阻值与传统沉积和退火的p型SiC接触报告的电阻相当或更低。

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