• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Symposium on Progress in Semiconductors Ⅱ―Electronic and Optoelectronic Applications Dec 2-5, 2002 Boston, Massachusetts, U.S.A. >Fracture Mechanical Evaluation of GaAs Wafers
【24h】

Fracture Mechanical Evaluation of GaAs Wafers

机译：GaAs晶片的断裂力学评估

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Strength and fracture toughness of (100) oriented GaAs wafers are analyzed by fracture and indentation testing. Using finite element method (FEM) critical fracture stresses are calculated from the fracture loads of wafers tested under biaxial bending, whereas atomic force (AFM), scanning electron microscopy (SEM) and acoustic C-scan microscopy of deformation and cracking patterns around micro- and nano-indentations provided information on yielding, crack initiation and crack growth resistance. Through fracture mechanical evaluation of these results critical defect sizes are derived, which are tolerable without strength degradation. It is shown, that a fracture strength of at least 800MPa can be achieved by careful fabrication even of 6" wafers. This figure is much higher then the prescribed minimum strength level estimated to avoid premature failures during wafer handling and processing routes.
机译：通过断裂和压痕测试分析了（100）取向的GaAs晶片的强度和断裂韧性。使用有限元方法（FEM），从在双轴弯曲下测试的晶圆的断裂载荷计算出临界断裂应力，而原子力（AFM），扫描电子显微镜（SEM）和声学C扫描显微镜则观察了微结构周围的变形和裂纹模式。纳米压痕提供了有关屈服，裂纹萌生和裂纹扩展阻力的信息。通过对这些结果进行断裂力学评估，得出了关键的缺陷尺寸，这些尺寸是可以容忍的，而不会降低强度。结果表明，即使精心制作6英寸的晶片，也可以达到至少800MPa的断裂强度。该数字远高于为避免晶片处理和加工过程中过早失效而估计的规定最小强度水平。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号