Giant exciton-light coupling in large size semiconductor quantum dots

机译：大尺寸半导体量子点中的巨型激子-光耦合

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We investigate the strength of the coupling of the electronic states with the electromagnetic field in semiconductor nanospheres, taking into account the retardation effect. We show that the coupling strength is particularly strong: the bulk properties are so enhanced that the radiative decay time can reach some 30 picoseconds for quantum dots sizes of some 30 nm.

机译：考虑到延迟效应，我们研究了半导体纳米球中电子态与电磁场的耦合强度。我们显示出耦合强度特别强：整体性能得到增强，以使量子点大小约为30 nm的辐射衰减时间可以达到约30皮秒。

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来源
《Symposium on Quantum Confined Semiconductor Nanostructures Dec 2-5, 2002 Boston, Massachusetts, U.S.A.》|2002年|p.153-156|共4页
会议地点 Boston MA(US);Boston MA(US)
作者
Bernard Gil; Alexey V. Kavokin;
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作者单位

Universite de Montpellier II-Groupe d'Etude des Semiconducteurs - case courrier 074 - 34 095 Montpellier CEDEX 5 France;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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