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首页> 外文会议>Symposium on Silicon Front-End Junction Formation Technologies, Apr 2-4, 2002, San Francisco, California >The Local Structure of Antimony in High Dose Antimony Implants in Silicon by XAFS and SIMS
【24h】

The Local Structure of Antimony in High Dose Antimony Implants in Silicon by XAFS and SIMS

机译：XAFS和SIMS在硅大剂量锑植入物中锑的局部结构

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One of the important challenges in semiconductor industry is to sustain high concentration of dopant atoms electrically active in very small areas. In investigating the optimum post implantation treatment methods that will help to attain these conditions, the local structural information around the dopant atom is crucial. In this study, we have used secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and x-ray absorption fine structure spectroscopy (XAFS) to obtain the concentration depth profiles and the local structural information around the Sb atom in laser thermal annealed (LTA) Sb implants in Si waters. The Sb implant doses used in this work are 6.4x10~(15)/cm~2 and 2.0x10~(16)/cm~2. The XAFS results for the 6.4x10~(15)/cm~2 Sb dose sample do not exhibit any rhombohedral-Sb precipitation as the Fourier Transformed (FT) data can be fit successfully using only substitutional-Sb in the Si lattice sites. However, a multi-shell analysis of the Fourier Transformed (FT) data for the 2.0x10~(16)/cm~2 Sb dose sample clearly indicates there is a substantial contribution from the Sb-Sb scattering, which is a signature of precipitated form of Sb.
机译：半导体工业中的重要挑战之一是在很小的区域内保持高浓度的电活性掺杂原子。在研究有助于实现这些条件的最佳植入后处理方法时，掺杂原子周围的局部结构信息至关重要。在这项研究中，我们已经使用二次离子质谱（SIMS）和X射线吸收精细结构光谱（XAFS）来获得浓度深度分布图和激光热退火（LTA）Sb植入物中Sb原子周围的局部结构信息。泗水。这项工作中使用的Sb注入剂量为6.4x10〜（15）/ cm〜2和2.0x10〜（16）/ cm〜2。 6.4x10〜（15）/ cm〜2 Sb剂量样品的XAFS结果未显示任何菱形Sb沉淀，因为仅使用Si晶格位中的Sb即可成功拟合傅立叶变换（FT）数据。但是，对2.0x10〜（16）/ cm〜2 Sb剂量样品的傅里叶变换（FT）数据进行的多壳分析清楚地表明，Sb-Sb散射有很大贡献，这是沉淀的标志。形式的锑

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