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首页> 外文会议>Symposium on In Situ Process Diagnostics and Intelligent Materials Processing held December 2-5, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A. >SPA monitoring of GaN movpe surface
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SPA monitoring of GaN movpe surface

机译：SPA监测GaN膜表面

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For the purpose of clarifying the growth mechanism of GaN metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE), the GaN surface during the growth on the (0001) sapphire substrate were in-situ monitored by surface photo-absorption (SPA) method. Ga-rich and N-rich surfaces can be distinguished by their reflectivities. It is found that the surface stoichiometry changes with the substrate temperature and with the carrier gas. In the nitrogen carrier gas, a N-rich GaN surface is stably formed at temperatures up to about 1000 deg C under NH_3 flow. In contrast, the surface in H_2 carrier gas is N-rich below 720 deg C, but becomes Ga-rich above 850 deg C. The desorption kinetics indicates that H_2 enhances the N desorption.
机译：为了阐明GaN金属-有机气相外延（MOVPE）的生长机理，通过表面光吸收（SPA）方法原位监测（0001）蓝宝石衬底上生长过程中的GaN表面。富镓和富氮的表面可以通过反射率来区分。发现表面化学计量随着基板温度和载气而变化。在氮气载气中，在NH_3流下，在高达约1000摄氏度的温度下稳定地形成了富氮GaN表面。相比之下，H_2载气中的表面在720摄氏度以下时富含N，但在850摄氏度以上时变为富含Ga。解吸动力学表明H_2增强了N的解吸。

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