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首页> 外文会议>Thin Film Transistors 9 (TFT 9) >Analysis of the Hysteresis Behavior in Poly-Si TFTs Using On-the-Fly Measurement
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Analysis of the Hysteresis Behavior in Poly-Si TFTs Using On-the-Fly Measurement

机译：使用实时测量分析多晶硅TFT中的磁滞行为

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摘要

The hysteresis behavior in p-type poly-Si TFTs causes malfunctions in analog circuits. To analyze the hysteresis, we adopted the On-the-Fly measurement that was used in the analyses of the negative bias temperature instability of Si LSIs. We modified the measurement for poly-Si TFTs and monitored the hole trapping from the fully detrapped states in order to quantitatively evaluate the hysteresis. A TFT annealed at 550℃ had smaller trapping than a TFT annealed at 490℃ due to fewer Si-OH bonds.
机译：p型多晶硅TFT中的磁滞行为会导致模拟电路出现故障。为了分析磁滞，我们采用了“实时”测量，该测量用于分析Si LSI的负偏置温度不稳定性。我们对多晶硅TFT的测量进行了修改，并监测了从完全脱陷状态捕获的空穴，以便定量评估滞后现象。在550℃退火的TFT与在490℃退火的TFT相比，由于较少的Si-OH键，其陷获较小。

著录项

  • 来源
    《Thin Film Transistors 9 (TFT 9)》|2008年|103-108|共6页
  • 会议地点 Honolulu HI(US)
  • 作者

    T. Kawamura; H. Uchida; M. Matsumura; H. Kageyama; M. Hatano;

  • 作者单位

    Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan;

    Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan;

    Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan;

    Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan;

    Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan;

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