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Uni-Traveling-Carrier Photodiodes

机译：单旅行载光电二极管

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A new ultrafast photodiode, uni-traveling-carrier photodiode (UTC-PD) is proposed, and its photoresponse characterization on fabricated devices is presented devices is presented. The prime feature of this PD is much higher output saturation current than that in a conventional pin-PD. This is achieved by reducing the space charage effect by utilizing electron velocity overshoot in the carrier collecting layer. A 20 #mu#m~2-area UTC-PD fabricated with MOVPE-grown InP/InGaAs heterostructure generated an output voltage as high as 2 V for a 25 #OMEGA# load while maintaining an f_3dB of 80 GHz. Proper device operations at high photocurrent densities up to 400 kA/cm~2 were observed.
机译：提出了一种新型的超快光电二极管，单行进载流子光电二极管（UTC-PD），并提出了其在制造器件上的光响应特性。该PD的主要特点是其输出饱和电流比传统的pin PD高得多。这是通过利用载流子收集层中的电子速度过冲来减少空间电荷效应来实现的。用MOVPE生长的InP / InGaAs异质结构制造的20＃μm〜2面积UTC-PD对于25＃OMEGA＃负载产生了高达2V的输出电压，同时保持了80 GHz的f_3dB。观察到在高达400 kA / cm〜2的高光电流密度下正确的器件操作。

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