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首页> 外文会议>Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X >Femtosecond buildup of phonon-plasmon coupling in photoexcited InP observed by ultrabroadband THz probing
【24h】

Femtosecond buildup of phonon-plasmon coupling in photoexcited InP observed by ultrabroadband THz probing

机译：通过超宽带太赫兹探测观察到光激发的InP中飞秒声子-等离子体耦合的建立

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We study the ultrafast transition of a pure longitudinal optical phonon resonance to a coupled phonon-plasmon system. Following 10-fs photoexcitation of intrinsic indium phosphide, ultrabroadband THz opto-electronics monitors the buildup of coherent beats of the emerging hybrid modes directly in the time domain with sub-cycle resolution. Mutual repulsion and redistribution of the oscillator strength of the interacting phonons and plasmons are seen to emerge on a delayed femtosecond time scale. Both branches of the mixed modes are monitored for various excitation densities N. We observe a pronounced anticrossing of the coupled resonances as a function of N. The characteristic formation time for phonon-plasmon coupling exhibits density dependence. The time is approximately set by one oscillation cycle of the upper branch of the mixed modes.
机译：我们研究了纯纵向光学声子共振到耦合声子-等离子体激元系统的超快跃迁。在对固有的磷化铟进行10 fs的光激发之后，超宽带THz光电器件直接在时域中以子周期分辨率监控新兴混合模式的相干节拍的形成。相互作用的声子和等离激元的振荡器强度的相互排斥和重新分布被认为是在延迟的飞秒时间尺度上出现的。监视混合模式的两个分支的各种激发密度N。我们观察到耦合共振作为N的函数的明显反交叉。声子-等离子体耦合的特征形成时间表现出密度依赖性。该时间大约由混合模式的上分支的一个振荡周期设定。

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