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首页> 外文会议>Wide bandgap semiconductor materials and devices 12 >Characteristics of 4H-SiC RF MOSFETs on a Semi-insulating Substrate
【24h】

Characteristics of 4H-SiC RF MOSFETs on a Semi-insulating Substrate

机译：半绝缘衬底上的4H-SiC RF MOSFET的特性

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摘要

This study has provided considerable insight into the impact of device down scaling on the characteristics of RF devices. This type of RF devices, featuring a thin p-layer based on a semi-insulating substrate, is free from the unwanted parasitic effects resulting from traditional conducting substrates. We fabricated 4H-SiC RF MOSFETs with fT/fMAX of 0.7/1.5 GHz and, in so doing, identified the key issues associated with short channel effects, influencing device mobility and the RF characteristics of RF MOSFETs on a semi-insulating substrate.
机译：这项研究为器件缩小对射频器件特性的影响提供了相当多的见识。这种类型的RF设备具有基于半绝缘基板的薄p层，因此不会出现传统导电基板所产生的有害寄生效应。我们制造了fT / fMAX为0.7 / 1.5 GHz的4H-SiC RF MOSFET，从而确定了与短沟道效应，影响器件迁移率和半绝缘衬底上RF MOSFET的RF特性相关的关键问题。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Montreal(CA);Montreal(CA)
  • 作者

    Tian-Li Wu; Chih-Fang Huang; Chun-Hu Cheng;

  • 作者单位

    Department of Electronics Eng., National Chiao Tung University, Hsinchu, TAIWAN,Institute of Electronics Eng., National Tsing Hua University, Hsinchu, TAIWAN;

    Institute of Electronics Eng., National Tsing Hua University, Hsinchu, TAIWAN;

    Institute of Electronics Eng., National Tsing Hua University, Hsinchu, TAIWAN;

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  • 正文语种 eng
  • 中图分类 材料;
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