AlxGa1-xN的MOCVD外延生长及日盲p-i-n型焦平面阵列探测器的研制

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目录

1 绪 论

1.1 高Al组分AlxGa1-xN基材料研究的背景与意义

1.2 MOCVD外延生长方法的特点

1.3 AlxGa1-xN材料MOCVD外延生长的主要问题

1.4 AlxGa1-xN材料生长的国内外现状

1.5 AlxGa1-xN基紫外探测器的应用背景

1.6 AlxGa1-xN基紫外探测器的研究进展

1.7 本文研究的目的

1.8 本文研究的主要内容

2 蓝宝石衬底上AlN基板MOCVD外延生长研究

2.1 MOCVD生长AlN基板的基本物理化学过程

2.2 TMAl流量变化对AlN基板生长的影响

2.3 温度变化对AlN基板生长的影响

2.4 AlN/AlxGa1-xN超晶格缓冲层的MOCVD外延生长

2.5 本章小结

3 蓝宝石衬底上高Al组分AlxGa1-xN材料MOCVD生长

3.1 TMGa流量对AlxGa1-xN外延生长的影响

3.2 AlxGa1-xN/AlN超晶格缓冲层上高Al组分AlxGa1-xN外延材料的生长研究

3.3 AlxGa1-xN晶体材料的n型掺杂研究

3.4 本章小结

4 AlxGa1-xN基日盲p-i-n型FPA探测器的研制

4.1 AlxGa1-xN基p-i-n型探测器工作原理

4.2 紫外探测器p-i-n结构设计

4.3 AlxGa1-xN焦平面阵列探测器设计与制作

4.4 AlxGa1-xN日盲p-i-n型FPA探测器的性能

4.5 本章小结

5 结论与展望

5.1 结论

5.2 展望

致谢

参考文献

附 录