首页> 中文学位 >基于D-D/D-T中子源的中子受激辐射计算机断层扫描成像系统的模拟研究
【6h】

基于D-D/D-T中子源的中子受激辐射计算机断层扫描成像系统的模拟研究

代理获取

目录

第一个书签之前

参考文献

展开▼

摘要

本文对中子受激辐射计算机断层扫描成像(NSECT)系统进行了仿真计算,包括中子源的选择、准直屏蔽系统的设计、屏蔽墙和靶体的设置以及探测器的布置。对比研究了D(d,n)3He和T(d,n)4He反应获得的中子源在NSECT中的应用,建立了TiDx/TiTx靶、水体模内放置/未放置铁球四种计算模型,并利用MCNP程序分别模拟了D-D、D-T中子源产生2.5MeV、14MeV左右中子束在该系统中的中子输运过程,记录并获得了出射中子和特征γ射线通量分布及能谱图,该研究对中子成像方面中子源的选择及平台的搭建有指导作用。从出射中子和特征γ射线通量分布发现,激发的特征γ射线会保持与入射中子束同样的前倾方向,为了得到尽可能多的特征γ射线,确定了在D-D和D-T两种中子源成像中,实验上应该在Z=0的平面上与中子束传播方向呈43.6°~50.9°范围内布置γ射线探测器。D-D和D-T两种中子源的NSECT高能γ射线探测器的最佳放置位置稍有不同,但都需要保持在43.6°~50.9°范围内。从特征γ射线能谱发现,56Fe、16O对应的特征峰能量与模拟数据的激发能完全吻合,说明NSECT技术可以确定元素种类,很有可能在病灶的早期诊断以及研究活体(包括人体)分子过程中崭露头角。本论文还利用GATE程序模拟构建了NSECT探测系统的康普顿相机,获取并分析了成像探测器的仿真数据(如散射探测模块和吸收探测模块中射线作用的位置、能量、时间信息等),为将来中子断层成像实验平台的搭建作出理论指导。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号