超低功耗CMOS电压基准源的研究与设计

第一章 绪论

1.1 研究背景及意义

1.2 国内外研究现状

1.3 论文研究内容及设计指标

1.4 本论文的组织结构

第二章 MOS器件的理论分析

2.1 CMOS工艺

2.2 MOSFET的基本结构

2.3 MOSFET的阈值电压

2.4 MOSFET的IV特性分析

2.5 MOSFET阈值电压的温度特性

2.6 栅源电压VGS的温度特性

2.7 本章小结

第三章 全MOS结构电压基准源的系统设计

3.1.1 温度系数

3.1.2 电源抑制比

3.1.3 线性调整率

3.1.4 功耗

3.2.1 电压基准源的工作原理

3.2.2 电压基准源的种类

3.3 低功耗全MOS结构电压基准源的各模块设计

3.3.1 偏置电路的设计

3.3.2 PTAT电压产生电路设计

3.3.3 CTAT电压产生电路设计

3.3.4 启动电路设计

3.3.5 预调节电路设计

3.3.6 整体电路

3.4 本章小结

第四章 全MOS电压基准源的电路图仿真

4.1 启动电路瞬态特性仿真

4.2 直流特性仿真

4.2.1 输入输出电压特性仿真

4.2.2 偏置电流温度特性仿真

4.2.3 输出电压的温度特性仿真

4.3 交流特性仿真

4.4 工艺角仿真

4.5 本章小结

第五章 版图设计与电路后仿真

5.1.1版图设计流程

5.1.2 匹配原则

5.1.3 寄生参数的影响

5.2 整体版图绘制

5.3 版图常规校验

5.4 版图后仿真

5.4.1 温度特性仿真

5.4.2 输入输出电压特性仿真

5.4.3 偏置电流温度特性仿真

5.4.4 交流特性仿真

5.4.5 前仿真与后仿真总结对比

5.5 本章小结

总结与展望

参考文献

攻读学位期间发表学术成果

声明

致谢