声明
1绪 论
1.1 引言
1.2钙钛矿锰氧化物
1.3非易失存储器器件研究进展
1.4 交换偏置的研究进展
1.5 本文研究的主要内容
2样品制备与仪器简介
2.1溶胶凝胶法制备薄膜及其表征方法
2.2蒸镀电极
2.3 器件的电性表征
2.4 LSMO薄膜的透光率和元素能谱测试
2.5薄膜的磁性表征
3不同晶态La0.67Sr0.33MnO3薄膜电阻开关特性
3.1 引言
3.2 La0.67Sr0.33MnO3薄膜的制备和表征
3.3 不同晶态的Ag/LSMO/FTO器件的电阻开关特性
3.5 本章小结
4不同退火温度对La0.67Sr0.33MnO3薄膜磁性的影响
4.1 引言
4.2 La0.67Sr0.33MnO3薄膜的制备和表征
4.3不同La0.67Sr0.33MnO3薄膜XPS谱分析
4.4不同La0.67Sr0.33MnO3薄膜磁及磁电阻特性
4.5本章小结
5晶态La0.5Sr0.5MnO3薄膜的交换偏置效应
5.1 引言
5.2 晶态La0.5Sr0.5MnO3薄膜的制备与表征
5.3 La0.5Sr0.5MnO3薄膜交换偏置效应
5.4本章小结
6 结论
参考文献
致谢