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g-C3N4纳米片和NiS/g-C3N4的制备及光催化产氢性能研究

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第一章 绪论

1.1 半导体光催化及其应用

1.2半导体光催化产氢

1.3 提高光催化剂产氢活性的有效方法

1.4 g-C3N4及光催化性能研究

1.5 非贵金属共催化剂研究

1.6 论文的选题意义及研究内容

参考文献:

第二章 实验部分

2.1 化学试剂和仪器

2.2 分析表征手段

2.3 光催化活性评价

2.4 ICP检测NiS/g-C3N4中Ni含量

2.5 光电化学测试

第三章 g-C3N4纳米片的制备及光催化产氢性能

3.1引言

3.2 催化剂的制备

3.3 结果与讨论

3.4 外部条件对CNNS-1光催化活性的影响

3.5 CNNS-1样品的催化循环稳定性

3.6本章小结

参考文献:

第四章 NiS/CNNS-1的制备及光催化产氢性能研究

4.1引言

4.2 样品的制备

4.3 结果与讨论

4.4 g-C3N4/1.75wt%NiS的催化循环稳定性

4.5 光催化机理分析

4.6 本章小结

参考文献

第五章 结论与展望

5.1 论文主要结论

5.2 展望

个人简历

致谢

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摘要

光催化氧化还原技术在解决能源危机和环境污染方面有潜在的应用价值。类石墨相氮化碳(g-C3N4),特别是经过剥离制备的g-C3N4纳米片,因其独特的能带结构和化学热稳定性,在光催化降解污染物、CO2还原及分解水产氢等方面表现出优异性能。本论文通过剥离体相g-C3N4制备g-C3N4纳米片和g-C3N4/NiS复合光催化剂,研究了剥离方法及负载NiS对g-C3N4纳米片可见光催化产氢活性的影响,并分析了g-C3N4/NiS复合催化剂的光催化产氢机理。
  以三聚氰胺为原料,通过热缩聚制备体相g-C3N4,然后通过热氧化刻蚀法、超声辅助-液体剥离法和化学剥离法三种方法制备了CNNS-1、CNNS-2、CNNS-3三种纳米片。采用XRD、TEM、BET、FT-IR、DRS和光电化学性能测试对样品进行了表征,并通过可见光(≥420 nm)光催化产氢评价了它们的光催化性能。结果表明,热氧化刻蚀制备的g-C3N4纳米片产氢速率最高,为592μmol.g-1.h-1(1.5wt%Pt/CNNS-1),是体相g-C3N4的4.5倍。通过热氧化刻蚀制备的g-C3N4纳米片的比表面积大(175.9 m2/g)导致的活性位点增多、禁带宽度小(2.82 eV)、电子-空穴对迁移速率快、光生载流子复合被有效抑制是光催化活性提高的根本原因。另外,系统研究了制备条件、牺牲剂浓度、Pt的负载量对热氧化刻蚀制备的g-C3N4纳米片可见光光催化产氢性能的影响,在三乙醇胺的浓度为10v%、Pt的沉积量为2.5wt%的可见光(≥420nm)条件下,样品的产氢速率高达711μmol.g-1.h-1(2.5wtPt/CNNS-1)。
  在热氧化刻蚀法制备的g-C3N4纳米片的基础上,通过静电吸附-水热法制备了NiS/g-C3N4光催化剂,通过XRD、TEM、XPS、DRS和光电化学性能测试对复合催化剂进行了表征,采用可见光光催化产氢测试评价了催化剂的光催化性能,考察了 NiS的负载量对光催化产氢性能的影响。结果表明, g-C3N4/1.75wt%NiS的光催化产氢速率最大,是1.0wt%Pt/g-C3N4的1.2倍。NiS沉积在g-C3N4表面,提高了g-C3N4的光吸收能力,加快了电子和空穴的转移和有效分离,进而提升了光催化产氢速率。

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