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温度对 NMOSFET 漏极单粒子瞬态电荷收集影响规律数值模拟
NUMERICAL SIMULATION OF THE INFLUENCEOF TEMPERATURE ON THE SINGLE EVENTTRANSIENT CHARGE COLLECTION OFNMOSFET
摘 要
Abstract
目 录
第1章 绪 论
1.1 选题背景及意义
1.2.1 电离能沉积
1.2.2 载流子收集机制
1.2.3 单粒子效应载流子收集示例
1.3 温度对单粒子瞬态的研究
1.4 敏感体模型的研究
1.5 本文的主要研究内容
第2章 单粒子瞬态模拟方法
2.1.1 模拟软件概述
2.1.2 半导体器件仿真基本方程
2.1.3 数值仿真物理模型
2.2 器件模型
第3章 单粒子电荷收集研究
3.1 MOS 器件敏感体模型
3.2.1 漏极敏感体模型建立
3.2.2 不同温度下敏感体模型分析
3.3.1 单因素变量对电荷收集的影响
3.3.2 温度的耦合作用对电荷收集的影响
3.4 本章小结
4.1.1 LET 值对瞬态电流的影响规律
4.1.2 温度对瞬态电流的影响规律
4.1.3 温度与 LET 值对瞬态电流的耦合作用
4.2.1 电场对单粒子瞬态电流的影响规律
4.2.2 不同温度和电场下瞬态电流的变化规律
4.3.1 入射角度对单粒子瞬态电流的影响规律
4.3.2 温度与入射角度对瞬态电流的耦合作用
4.4 结论分析
4.4.1 单因素变量分析
4.4.2 温度的协同作用分析
4.5 本章小结
结 论
参考文献
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致 谢
