溅射和退火工艺参数对多晶硅薄膜结构和性能的影响

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目录

第一章 绪 论

1.1 太阳能电池的发展状况

1.2 硅太阳能电池的研究现状

1.3 磁控溅射和退火法制备多晶硅薄膜的研究现状

1.4 主要研究内容

第二章 实验内容及表征方法

2.1 实验材料

2.2 衬底的预处理

2. 3多晶硅薄膜的制备技术

2.4 多晶硅薄膜的测试与表征

第三章 磁控溅射工艺参数对n型Si薄膜微观结构的影响

3.1 引言

3.2 实验方案

3.3 不同溅射工艺参数制备n型Si薄膜的XRD分析

3.4 溅射工艺参数对n型Si薄膜的形貌影响的研究

3.5 溅射工艺参数对n型Si薄膜厚度的影响

3.6 溅射工艺参数对n型Si薄膜成分的影响

3.7 本章小结

第四章 退火处理多晶n型Si薄膜的结构和性能研究

4.1 引言

4.2 实验方案

4.3 不同退火温度下多晶n型Si薄膜的XRD分析

4.4 不同退火温度下的多晶n型Si薄膜的形貌分析

4.5 退火处理后的薄膜表面的XPS分析

4.6 退火温度对n型Si薄膜的光学性质的影响的研究

4.7 本章小结

第五章 单晶硅/多晶硅p-n结的制备与性能研究

5.1 引言

5.2 单晶硅/多晶硅p-n结的制备

5.3 电极材料的退火温度对Al/Si欧姆接触的影响

5.4 n型Si薄膜的结构对p-n结性能的影响

5.5 本章小结

结论

参考文献

声明

致谢