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CeO2掺杂3Y-ZrO2中的平衡晶界偏聚

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CeO2掺杂 3Y-ZrO2中的平衡晶界偏聚

EQUILIBRIUM GRAIN BOUNDARY SEGREGATION IN CeO2-DOPED 3Y-ZrO2

摘 要

Abstract

第1章 绪 论

1.1 引言

1.2 二氧化锆

1.3 二氧化锆应用于热障涂层

1.4 晶界偏聚理论

1.5 俄歇电子能谱简介

1.6 本文研究的主要内容

第2章 实验内容

2.1 引言

2.2 样品烧结工艺

2.3 俄歇能谱分析

第3章 样品烧结工艺比较

3.1 掺杂CeO2的3Y-ZrO2烧结工艺比较

3.2 CeO2烧结工艺比较

3.3 Y2O3烧结工艺比较

3.4 本章小结

第4章 俄歇电子能谱分析

4.1 俄歇能谱分析

4.2 本章小结

结 论

参考文献

哈尔滨工业大学硕士学位论文原创性声明

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致 谢

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摘要

氧化钇稳定二氧化锆是目前广泛应用的陶瓷热障涂层材料,它具有优良的隔热效果、高熔点、低的热导率和良好的化学稳定性,因而是一种很有发展潜力的热涨涂层材料。
  热障涂层由陶瓷表面涂层和金属缓冲层(金属粘结层)组成,氧通过陶瓷中气孔、微裂纹以及晶界到达缓冲层,使得在ZrO2陶瓷涂层与缓冲层之间生成氧化物,主要为Al2O3。当Al2O3膜形成一定厚度后,Al2O3膜在高温下相变而产生体积膨胀。由于涂层与基底间的热膨胀失配现象在氧化层中形成残余压应力,从而导致涂层开裂和剥落,这是导致热障涂层剥落失效的重要原因。在陶瓷涂层致密度不断提高的情况下,氧沿晶界到达缓冲层生成氧化物已成为热障涂层失效的重要原因之一。
  有研究证明Ce在晶界处偏聚可以抑制氧沿晶界的传递。而Ce的晶界偏聚又受基体材料中其他溶质元素的影响,因此本研究以掺杂CeO2的3Y-ZrO2中Y、Ce在晶界处的平衡偏聚为研究对象,目的是找出这两种元素晶界偏聚的相互作用关系。掺杂CeO2的3Y-ZrO2常压下在1600℃烧结10小时,烧结结束后随炉冷却,此工艺烧结试样的断面沿晶断裂所占比重最大。然后分别在960℃、1020℃、1080℃时效保温不同时间以获得不同偏聚效果。利用俄歇能谱分析得到不同条件热处理后试样中各元素于晶界处平衡偏聚浓度。
  AES结果显示Ce的晶界偏聚浓度随温度升高而降低,而Y的晶界偏聚浓度则随温度升高而增加,用Guttmann三元平衡偏聚理论分析实验结果,结论是Y与Ce在晶界处的偏聚属于竞争偏聚。

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