首页> 中文学位 >基于MoS2的1D/2D结型场效应晶体管的构筑和性能研究
【6h】

基于MoS2的1D/2D结型场效应晶体管的构筑和性能研究

代理获取

目录

声明

第一章 绪论

1.1二维过渡金属硫属化合物的简介

1.2二维MoS2的基本性质

1.2.1晶体结构

1.2.2电子结构

1.2.3 MoS2的光学和电学性能

1.3基于MoS2的场效应晶体管

1.3.1 MoS2用于场效应晶体管的优势

1.3.2 MoS2基场效应晶体管的评价指标

1.3.3 MoS2基场效应晶体管的构筑方式

1.3.4 MoS2基场效应晶体管用作光电探测器

1.4选题思路和意义

第二章 MoS2/CuO-1D/2D结型场效应晶体管的构筑和光电性能研究

2.1引言

2.2实验的试剂和设备

2.3 CuO/MoS2-1D/2D结型场效应晶体管的构筑

2.3.1 CuO纳米线的生长和表征

2.3.2石墨烯的生长和表征

2.3.3器件的制备流程

2.4 CuO/MoS2界面的整流特性

2.5 CuO/MoS2-1D/2D结型场效应晶体管的双栅调控

2.6 CuO/MoS2-1D/2D结型场效应晶体管的逻辑电路应用

2.7 CuO/MoS2-1D/2D结型场效应晶体管用作光电探测器

2.8本章小结

第三章 Sb2Se3/MoS2-1D/2D结型场效应晶体管的构筑及其电学性能研究

3.1引言

3.2实验的试剂和设备

3.3 Sb2Se3-MoS2-1D/2D结型场效应晶体管的构筑

3.3.1 Sb2Se3的生长和表征

3.3.2器件的制备流程

3.4 Sb2Se3/MoS2-1D/2D结型场效应晶体管的电学性能研究

3.5 Sb2Se3-MoS2-1D/2D结型场效应晶体管的逻辑反相器测试

3.6本章小结

第四章 总结与展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间发表论文

展开▼

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号