基于不对称性的相变存储器性能优化研究

第一个书签之前

摘 要

Abstract

1 绪论

1.1 引言

1.2 PCM研究背景介绍

1.3 PCM性能优化技术研究现状

1.4 本文的主要研究内容和组织结构

2 基于写入数据类型不对称性的SLC PCM写优化技术

2.1 基于写入数据类型不对称性的写优化技术研究动机

2.2 基于写入数据类型不对称性的写优化策略设计与实现

2.3 Min-WU实验评估

2.4 本章小结

3 基于写入功耗不对称性的SLC PCM写优化技术

3.1 基于写入功耗不对称性的写优化技术研究动机

3.2 基于写入功耗不对称性的写优化策略设计与实现

3.3 MaxPB实验评估

3.4 本章小结

4 基于写入数据数目不对称性的SLC PCM写优化技术

4.1 基于写入数据数目不对称性的写优化技术研究动机

4.2 基于写入数据数目不对称性的写优化策略设计与实现

4.3 Tetris Write性能评价

4.4 本章小结

5 基于写操作数据分布不对称性的MLC PCM写优化技术

5.1 基于写操作数据分布不对称性的写优化技术研究动机

5.2 基于写操作数据分布不对称性的写优化策略设计与实现

5.3 PCM-2R性能评价

5.4 本章小结

6 全文总结与展望

6.1 本文主要成果

6.2 未来研究展望

致 谢

参考文献

1 攻读博士学位期间发表的学术论文目录

2 攻读博士学位期间申请的发明专利和其他成果

3 攻读博士学位期间参与的科研项目