石墨烯的CVD制备及其基于铁电陶瓷极化的导电性能调控

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石墨烯是一种由碳原子六角晶格排列形成的二维单原子层蜂窝状结构材料，其优异的电学特性使其在微纳器件领域具有广泛的应用前景，本文在采用化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，CVD）获得大面积石墨烯薄膜的基础上，以PZT陶瓷为目标衬底转移石墨烯，研究利用PZT极化实现石墨烯导电性能的调控。
　　本文首先研究了石墨烯的C VD生长工艺。以铜箔为衬底，以甲烷、氢气和氩气为工艺气体，通过优化气体流量和压强等参数实现了大面积单层石墨烯的制备，拉曼光谱测试显示所制备的石墨烯薄膜缺陷少。经四探针和霍尔测试，室温下石墨烯薄膜的方阻为613Ω/□~4079Ω/□，载流子浓度为2.8×1012cm-2~3.3×1012cm-2，迁移率为330cm2V-1s-1~547.8cm2V-1s-1。紫外-可见光光度计测试表明其可见光透过率为95.9％（400nm）~97.4%（760 nm）。
　　本文接着基于常规的旋涂PMM A的石墨烯转移法，采用“微量丙酮先溶法”去除PMMA，将石墨烯转移到P ZT陶瓷表面，研究了P ZT陶瓷极化对石墨烯薄膜方阻的调控。通过在PZT陶瓷上施加4.5kV/c m的极化电场，石墨烯薄膜的方阻可被降低30%。

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作者
王东昭;
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作者单位

华中科技大学;

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授予单位华中科技大学;
学科微电子学与固体电子学
授予学位硕士
导师姓名周文利;
年度 2016
页码
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原文格式 PDF
正文语种中文
中图分类 TN304.055;
关键词
石墨烯; 化学气相沉积法; 铁电陶瓷极化; 导电性能;

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