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沉淀法制备氧化锌以及铟镓锌氧化物粉末的研究

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1 绪论

1.1 前言

1.2 IGZO靶材制备的研究现状

1.3 ZnO以及IGZO粉末制备的研究现状

1.4 本论文的研究意义及研究内容

2 实验材料、仪器与方法

2.1 实验原料和仪器

2.2 实验工艺流程

2.3 测试与表征

3 ZnO粉末的制备

3.1 引言

3.2 花状多孔ZnO

3.3 片状多孔ZnO

3.4 杆状ZnO

3.5 管状ZnO

3.6 花状ZnO

3.7 均匀等轴状ZnO

3.8 本章小结

4 IGZO粉末的制备与烧结

4.1 引言

4.2 共沉淀法制备IGZO粉末

4.3 分步沉淀法制备IGZO粉末

4.4 IGZO粉末的烧结

4.5 本章小结

5 全文总结

致谢

参考文献

附录 攻读硕士学位期间发表的论文

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摘要

铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)是最有应用前景的氧化物晶体管之一。铟镓锌氧化物(IGZO)靶材作为制作IGZO TFT所需要的溅射靶材,其性能直接影响着IGZO TFT的品质。目前IGZO靶材的制备方法可以根据不同的粉末原材料分为两种,一种是以IGZO粉末为原料,另一种是以氧化铟(In2O3)、氧化镓(Ga2O3)、氧化锌(ZnO)混合粉末为原料。本论文通过沉淀法制备了ZnO和IGZO粉末,研究内容主要分为两个部分:首先研究了不同形貌ZnO的制备及部分复杂形貌的生长机理;然后通过不同沉淀剂和沉淀方法制备 IGZO粉末,并以其中一种粉末为原料来做烧结实验。主要研究工作如下:
  (1)氯化锌(ZnCl2)溶液和氨水在25℃反应后生成由纳米片组装成的花状氨化碱式氯化锌(ZHC-NH3)。这种花状结构的形成与溶液过饱和度有关。花状ZHC-NH3煅烧后分解成花状多孔的ZnO,其分解过程受环境湿度影响较大。ZHC-NH3是氨分子插入到碱式氯化锌(ZHC)的(003)晶面的层间得到的产物。花状ZHC-NH3通过水浴加热可以除去插在层间的氨分子,转化成片状ZHC。片状ZHC在煅烧后则分解为片状多孔的ZnO。
  (2)ZnCl2溶液和氨水在80℃反应后直接生成杆状ZnO。这种形貌的产生是由于ZnO晶体生长具有各向异性,其沿[0001]方向生长最快。上述在较高温度下得到的杆状ZnO自然冷却到室温后,在5℃陈化12h,就得到管状ZnO。这是由于杆状ZnO在低温时发生溶解,且(0001)面的溶解速度最快所导致的。
  (3)ZnCl2溶液和氢氧化钠溶液在50℃反应后,溶液中生成由纳米棒组合而成的花状形貌的ZnO,并且这些纳米棒的端部呈锥形。花状形貌的产生是由于溶液中一开始形成的ZnO晶核团聚后,各自沿着[0001]方向的各向异性生长所导致的。
  (4)ZnCl2溶液分别和碳酸钠(Na2CO3)和碳酸铵((NH4)2CO3)溶液在50℃反应后,都生成了碱式碳酸锌 Zn4(CO3)(OH)6·H2O前驱体,两种前驱体煅烧后,也都能得到均匀等轴状纳米ZnO。
  (5)通过共沉淀法(NaOH、Na2CO3、氨水、(NH4)2CO3为沉淀剂)和分步沉淀法(氨水、(NH4)2CO3为沉淀剂)都成功制备出了成分基本为 InGaZnO4单相的粉末。粉末最佳制备工艺为采用分步沉淀法,使用氨水作为沉淀剂,这种工艺制备的粉末烧结性能较好,且粉末中In、Ga、Zn元素的摩尔比例为1:1.041:1.004,最接近理论值1:1:1。
  (6)使用由最佳工艺制备的非晶IGZO粉末作为原料,通过先模压后冷等静压的方式成型制成生坯,在不同的温度下进行无压烧结。结果表明,在1200℃烧结时坯体基本为 InGaZnO4单相成分,相对密度高达97.43%,烧结体中晶粒细小均匀,尺寸都在1μm以下。

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