声明
第一章 绪论
1.1 课题研究背景
1.2 课题研究现状
1.3 课题研究内容和意义
1.4 本文的组织结构
第二章 集成电路中的单粒子瞬态效应及其模拟方法
2.1 数字IC中的SET
2.2 集成电路SET的模拟方法
2.3 基于TCAD的SET模拟
2.4 本章小结
第三章 阱接触面积对单粒子瞬态效应的影响
3.1 研究背景
3.2 模拟设置与结果分析
3.3 LET对SET脉冲宽度的影响
3.4 阱接触保护环对PMOS SET脉冲宽度影响的实验
3.5 本章小结
第四章 结深对单粒子瞬态效应的影响
4.1 研究背景
4.2 结深对单粒子瞬态效应的模拟试验
4.3 结深在不同电压、温度下的变化趋势
4.4 本章小结
第五章 结束语
5.1 本文工作总结
5.2 未来工作展望
致谢
参考文献
作者在学期间取得的学术成果