1200V4H-SiC结势垒肖特基二极管优化设计

声明

摘要

第一章 绪论

1．1 碳化硅材料的特点

1．2 结势垒肖特基二极管的发展和应用

1．3 国内外研究现状

1．4 研究内容与设计指标

第二章 碳化硅结势垒肖特基二极管设计原理

2．1 正向导通特性

2．2 反向特性

2．3 结电容特性

2．4 温度特性

2．5 本章小结

第三章 1200V碳化硅结势垒肖特基二极管优化设计

3．1 元胞结构优化设计

3．2 终端结构优化设计

3．3 1200V碳化硅结势垒肖特基二极管的整体结构

3．4 本章小结

第四章 1200V碳化硅结势垒肖特基二极管的极限特性研究

4．1 反向峰值电压的研究

4．2 正向峰值电流的研究

4．3 本章小结

第五章 1200V碳化硅结势垒肖特基二极管流片及测试分析

5．1 工艺流程

5．2 版图设计

5．3 直流参数测试结果

5．4 动态参数测试结果

5．5 极限参数测试结果

5．6 1200V碳化硅结势垒肖特基二极管的测试结果小结

5．7 本章小结

第六章 总结及展望

6．1 总结

6．2 展望

致谢

参考文献

硕士期间取得成果