功率GaAs HBT结构参数及镇流电阻对其热稳定性影响的研究

声明

摘要

第一章 绪论

1．1 课题背景与意义

1．2 国内外研究现状

1．3 研究内容和设计指标

1．3．1 研究内容

1．3．2 设计指标

1．4 论文组织结构

第二章 GaAs HBT器件特性及热特性

2．1 GaAs HBT的结构和原理

2．2 GaAs HBT的优势

2．3 GaAs HBT的性能和热特性参数

2．3．1 输出功率和功率附加效率

2．3．2 截止频率和最高振荡频率

2．3．3 开启电压

2．3．4 电流增益和电流增益崩塌

2．3．5 热阻

2．4 本章小结

第三章 功率GaAs HBT稳态热传导模型及表面温度分布模拟

3．1 多发射极HBT三维热分析模型的建立

3．1．1 热分析模型

3．1．2 热传导方程

3．2 稳态下GaAs HBT表面温度分布模拟

3．3 本章小结

第四章 GaAs HBT自加热和热耦合效应与结构参数的关系

4．1 影响热稳定性的结构参数和镇流电阻

4．1．1 HBT发射极指数

4．1．2 HBT发射极间距

4．1．3 HBT发射极指长

4．1．4 HBT发射极镇流电阻

4．2 发射极指间距设计方法

4．2．1 均匀发射极指间距

4．2．2 非均匀发射极指间距

4．2．3 非均匀发射极指间距与传统均匀发射极指间距比较

4．3 发射极指长设计方法

4．3．1 均匀发射极指长

4．3．2 非均匀发射极指长

4．3．3 非均匀发射极指长与传统均匀发射极指长比较

4．4 本章小结

第五章 GaAs HBT自加热和热耦合效应与镇流电阻的关系

5．1 发射极三指镇流电阻的设计

5．2 发射极N指镇流电阻的设计

5．3 多发射极指非均匀镇流电阻的模拟

5．3．1 均匀发射极镇流电阻

5．3．2 非均匀发射极镇流电阻

5．3．3 非均匀发射极指镇流电阻与传统均匀发射极指镇流电阻比较

5．4 模拟结果与设计指标对比

5．5 本章小结

第六章 总结与展望

6．1 论文总结

6．2 未来展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间发表的论文