首页> 中文学位 >CMOS工艺兼容电容式相对湿度传感器的设计
【6h】

CMOS工艺兼容电容式相对湿度传感器的设计

代理获取

目录

文摘

英文文摘

东南大学学位论文独创性声明及东南大学学位论文使用授权声明

第一章引言

1.1背景

1.2本论文的主要工作

1.3论文纲要

第二章微湿度传感器的工作原理与结构分析

2.1湿度表示法

2.1.1质量百分比和体积百分比

2.1.2相对湿度和绝对湿度

2.1.3露点霜点法

2.2湿度传感器性能要求

2.2.1湿度量程

2.2.2相对湿度特性曲线

2.2.3灵敏度

2.2.4湿度温度系数

2.2.5响应时间

2.2.6滞回特性

2.3微型湿度传感器

2.3.1压阻型湿度传感器

2.3.2悬臂梁型湿度传感器

2.3.3热电偶型湿度传感器

2.3.4电容型湿度传感器

2.4硅电容型湿度传感器

2.4.1多孔硅/多孔铝

2.4.2聚酰亚胺

2.4.3空气作为感湿介质

2.5 小结

第三章CMOS兼容电容湿度传感器的设计与分析

3.1湿度传感器结构设计

3.1.1传感器结构设计

3.1.2感湿介质选择

3.2新型湿度传感器结构分析

3.2.1湿度传感器工作原理

3.2.2空气介电常数与相对湿度的关系

3.2.3聚酰亚胺的介电常数与相对湿度的关系

3.3利用有限元分析软件分析传感器结构

3.3.1Coventor分析结果

3.3.2ANSYS分析结果

3.4湿度传感器的理论模型

3.5有关表面吸附的问题

3.6小结

第四章电容湿度传感器接口电路设计

4.1电容/频率转换电路

4.2电容/电压转换电路

4.2.1开关设计

4.2.2时钟馈通

4.2.3KT/C噪声

4.2.4四相时钟设计

4.3开关电容电路仿真

4.4小结

第五章CMOS电容湿度传感器工艺与版图及后道工艺设计

5.1 CMOS兼容电容湿度传感器的工艺

5.1.1具体工艺流程

5.1.2工艺流程示意图

5.2片上湿度传感器的版图设计

5.2.1光刻多晶硅加热电路

5.2.2光刻二氧化硅

5.2.3光刻铝电极

5.2.4光刻钝化层

5.3流水结果

5.4后道工艺

5.4.1涂覆聚酰胺酸薄膜

5.4.2湿法刻蚀法

5.4.3光刻工艺

5.4.4亚胺化工艺

5.4.5亚胺化程度检验

5.4.6膜厚的测量

5.4.7返工工艺

5.5后道工艺中需要注意事项

5.6 小结

第六章CMOS兼容电容湿度传感器的性能测试

6.1湿度传感器的封装

6.1.1室外用的湿度传感器的封装形式

6.1.2手持式封装

6.1.3改进后的湿度传感器封装

6.1.4湿度传感器的引线考虑

6.2电容湿度传感器的性能测试

6.2.1湿度量程

6.2.2灵敏度测试

6.2.3滞回特性测试

6.2.4温度特性测试

6.2.5稳定性测试

6.2.6响应时间测量

6.2.7加热电路性能测试

6.3小结

第七章结束语

7.1总结

7.2存在问题及改进意见

参考文献

附录A电容频率转换电路Spice文件

附录B电容电压转换电路Spice文件

附录C电容电压转换电路简图

作者简介

攻读硕士期间发表论文

攻读硕士学位期间申请专利

致谢

展开▼

摘要

该文给出了一种新型的湿度传感器,它利用标准的CMOS工艺技术制造.具有CMOS工艺的一些共同的优点,价格低、精度高、可靠性好.湿度传感器广泛地应用于测量和控制领域,包括工艺控制、气象、农业和医疗设备.湿度传感器大致可以分为下列几种类型:电容式、电阻式、悬臂梁式、晶振式、以及热电偶式.新型的电容式的湿度传感器将与多晶硅加热结构集成在一起,它的响应时间非常迅速.该结构首次提出了在铝电极和敏感材料(聚酰亚胺)中间加了一层钝化层以提高传感器的可靠性.钝化层的引入使得该结构还可以自由选择电容电极的材料.新型微湿度传感器采用3微米CMOS工艺技术制造.该文研究的新型结构由梳状铝电极、梳状多晶硅加热条以及用作感湿材料的聚酰亚胺组成.传感器结构由两对交叉的梳状铝电极,每个为21根铝条,以及60根多晶硅加热条组成.每根电极长400微米,宽3微米,整个尺度为508微米×450微米.接口电路采用新型开关电容结构,用来检测微小的敏感电容,我们对接口电路进行了Spice仿真.并利用有限元分析工具ANSYS和Coventor对传感器结构进行分析,得到敏感电容与相对湿度变化曲线.对于湿度传感器一些特性参数.灵敏度、滞回特性、温度系数、可靠性、响应速度和一个特殊的参数:加热时的脱附吸附速度,进行了系统全面的测量.湿度传感器的灵敏度对于不同的聚酰亚胺厚度也不同,2.5微米厚的聚酰亚胺灵敏度在线性范围内灵敏度为6fF/﹪RH,敏感膜厚度为1微米时传感器灵敏度在线性范围内灵敏度为5fF/﹪RH.通过对灵敏度的测试发现,在相对湿度范围20﹪~70﹪RH时,敏感电容的线性度非常好.在相对湿度为80﹪RH时,滞回差最大,为3﹪RH.湿度传感器的温度系数为0.14﹪RH/℃.为了获得很好的可靠性,在敏感膜与电极中间添加了一层钝化膜,测试结果发现,这种新型结构在高温情况下放置一周后,湿度传感器的敏感电容值没有明显的漂移.该文还设计了一种全新的测试结构用来精确测试响应时间,测量得到的湿度传感器响应速度,从12﹪RH上升到75﹪RH所需时间为10秒钟.为了提高高湿情况下的响应速度,我们改进了结构,增加了多晶硅加热电路,对多晶硅条加热测试发现,湿度传感器在高温情况下(85﹪RH)达到稳定的时间为51秒钟,比没有加热电路情况下,快了近三倍.并且这种多晶硅加热结构还可以去除吸附在表面的可挥发性的杂质.最后该文给出的这种利用CMOS技术制造的湿度传感器具有较高的灵敏度、较好的滞回特性、可靠性、线性度和短的响应时间等.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号