声明
摘要
第1章 绪论
1．1 引言
1．2 低维纳米材料简介
1．3 碳化硅简介
1．3．1 碳化硅材料的发展
1．3．2 碳化硅的不同结构
1．3．3 低维碳化硅材料
1．4 低维材料的改性方法
1．4．1 功能化
1．4．2 掺杂和缺陷
1．4．3 异质结
1．4．4 少层和夹层
1．4．5 施加应力
1．4．6 施加电场
1．5 本论文的研究内容和创新性
第2章 计算机模拟方法简介
2．1 基本模拟方法
2．2 计算机模拟软件
2．3 部分模拟计算参数介绍
2．3．1 体系能量
2．3．2 结构优化
2．3．3 能带结构
2．3．4 电子态密度
2．3．5 电荷分布
第3章 利用边界功能化调节一维碳化硅纳米带的电子特性
3．1 引言
3．2 计算模拟方法
3．3 结果与讨论
3．4 本章小结
第4章 表面功能化及应变对二维碳化硅纳米薄片电子结构的影响
4．1 引言
4．2 计算模拟方法
4．3 结果与讨论
4．3．1 功能化的影响
4．3．2 应变的影响
4．4 本章小结
第5章 结论
参考文献
致谢
攻读硕士学位期间发表的论文
江苏大学;
