超宽带低相移单片六位微波数字衰减器的设计与研究

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1绪论

1.1 MMIC技术发展概况

1.2 MMIC的优点和不足

1.3 MMIC的应用

1.4 MMIC数字衰减器的研究意义及发展概况

1.5本文主要研究内容

2 GaAs PHEMT开关特性及建模研究

2.1 GaAs无源器件

2.1.1电阻

2.1.2微带元件

2.2 GaAs PHEMT开关特性

2.2.1赝同晶GaAs HEMT(PHEMT)的物理结构

2.2.2 PHEMT器件工作机理

2.3 GaAs PHEMT开关建模研究

2.3.1工程模型提取

2.3.2模型参数提取

3数字衰减器的基本理论

3.1数字衰减器的主要技术指标

3.2几种衰减结构的分析比较

3.2.1 T型衰减器

3.2.2 PI型衰减器

3.2.3桥T型衰减器

3.2.4开关式衰减器

4 MMIC六位数字衰减器的设计

4.1小衰减位的设计

4.1.1 0.5dB衰减位的设计

4.1.2 1dB衰减位的设计

4.2中等衰减位的设计

4.2.1 2dB衰减位的设计

4.2.2 4dB衰减位的设计

4.3大衰减位的设计

4.3.1 8dB衰减位的设计

4.3.2 16dB衰减位的设计

4.4六位级联衰减电路仿真

4.5版图设计

4.5.1设计规则

4.5.2衰减器总体版图

5 MMIC工艺技术及CAD技术

5.1 MMIC加工工艺以及加工流程

5.2 MMIC CAD技术简介

6总结

致 谢

参考文献

附 录