首页> 中文学位 >NHCl和NHBr晶体中自陷态激子的辐射光谱和V心的吸收光谱研究
【6h】

NHCl和NHBr晶体中自陷态激子的辐射光谱和V心的吸收光谱研究

代理获取

目录

学位论文独创性声明和学位论文使用授权声明

摘要

Abstract

第一章引言

第二章理论计算方法

§2.1 晶格库仑能

§2.2 短程排斥势

§2.3 缺陷电子的能量

§2.3.1离子尺寸项

§2.3.2内插公式

§2.3.3 电子与NH4+分子离子相互作用的处理

§2.3.4 Vk心的处理

§2.4 极化能

§2.5 分子离子间的相互作用能

§2.6 系统总能量的自洽迭代求极值方法

第三章计算结果和分析

§3.1 STE基态的确定

§3.2 STE的辐射光谱

§3.3 Vk心的吸收光谱

第四章总结与展望

附录A

附录B

附录C

参考文献

致谢

展开▼

摘要

该文是在单电子Hartree-Fock近似的基础上采用扩展离子方法研究了NH<,4>Cl和NH<,4>Br晶体中自陷态激子(STE)的辐射光谱和V<,k>心的吸收光谱,根据变分法原理确定STE系统的最小能量及其相应的离子位移场,系统总能量由晶格库仑能、离子之间的短程排斥能、缺陷电子的能量、晶体的极化能、分子离子间的相互作用能这五部分组成.用浮动球ls高斯函数的线性组合描述缺陷电子,用赝势方法确定缺陷电子的态和能量,电子波函数和晶格弛豫由自洽迭代确定.研究结果表明自陷态激子的辐射光谱和V<,k>心的吸收光谱与实验符合得很好.

著录项

  • 作者

    曹军;

  • 作者单位

    南京师范大学;

  • 授予单位 南京师范大学;
  • 学科 理论物理
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 陈凌孚;
  • 年度 2004
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 中文
  • 中图分类 O472.3;
  • 关键词

    自陷态激子; V心; 扩展离子方法; NHCl; NHBr;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号