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多晶硅薄膜晶体管电荷泵电流中几何电流分离方法的研究

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第一章 绪 论

1.1 薄膜晶体管(TFT)简介

1.2 电荷泵技术(CP)简介

1.3 多晶硅薄膜晶体管简介

1.4 本文工作基础

1.5 本文的主要工作及论文结构安排

参考文献

第二章 电荷泵电流中几何电流分离研究

2.1 CP原理介绍

2.2 利用CP提取缺陷态密度及其能级分布

2.3 几何电流简介

2.4 几何电流分离方法

2.5 模型参数合理性分析

2.6 分离后电流分析及其合理性分析

2.7 新的缺陷态密度的提取方法

2.8 剩余空穴浓度的沟道长度关系的实验确认

2.9 本章小结

参考文献

第三章 关于产生几何电流的临界传输时间讨论

3.1 基于CP实验方法提取的临界传输时间

3.2 基于物理模型提取的临界传输时间

3.3 本章小结

参考文献

第四章 结论及未来工作

4.1 本文结论

4.2 未来工作

攻读硕士学位期间发表的论文

致谢

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摘要

本文主要围绕多晶硅薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)的电荷泵电流(CP:Charge Pumping)中几何电流(Igeo:geometric current)的分离进行研究,基于对多晶硅TFT的沟道宽度控制Igeo产生的理解,提出了一种基于实验的用于评估和从测量的CP电流(Icp_mea)中分离 Igeo的方法,此方法基于一组固定沟道长度,变化沟道宽度的TFTs。采用三参数模型可有效拟合Icp_mea,通过参数分析发现参数设置合理。另外,分离后的Igeo和净的Icp曲线也符合预期。随着Igeo的分离,一个可靠地表征TFT的缺陷态密度(Dt)的新方法同时被提出。Igeo被分离后,避免了对于CP电流的过度测量,使得即使短的CP脉冲传输时间,Dt的提取也很可靠。另一方面,Igeo的分离确认了产生几何因素的临界传输时间,这与基于扩散控制的载流子疏散模型估计的临界传输时间相互吻合,这也加深了对几何效应电流产生的理解。

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