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过渡族金属半导体化合物在新型高效太阳能电池中的应用

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第一章 绪论

1.1引言

1.2 太阳能电池分类

1.3 有机-无机杂化太阳能电池的研究

1.4 太阳能电池性能的主要参数

1.5本文主要研究工作

参考文献

第二章 层状硫化钴应用于有机-硅太阳能电池

2.1 引言

2.2 实验材料与设备

2.3 结果分析与讨论

2.4 本章小结

参考文献

第三章 氧化锌纳米颗粒在有机-无机杂化肖特基结太阳能电池中的应用

3.1 引言

3.2 实验材料和设备

3.3 器件的制备与测试

3.3 结果分析与讨论

3.4 本章小结

参考文献

第四章 层状硫化钴应用于有机太阳能电池

4.1 引言

4.2 太阳能电池制备和表征

4.3 结果与讨论

4.4 本章小结

参考文献

第五章 总结与展望

攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文

致谢

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摘要

本论文主要研究了过渡金属半导体化合物在新型有机-硅及相关太阳能电池的制备与性能表征。具体分为两个部分,一是基于硅与共轭导电聚合物聚3,4二氧乙烯噻吩:聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)的高效有机-无机杂化太阳能电池的制备及性能研究;二是基于体异质结结构的(3-己基噻吩(P3HT):富勒烯的衍生物(PC61BM)和聚苯并二噻吩(PTB7):富勒烯的衍生物(PC71BM)的有机太阳能电池的制备及性能研究。主要工作包括以下几个方面:
  1.以平面硅为基底,通过溶液旋涂法制备有机导电薄膜 PEDOT:PSS,形成Si/PEDOT:PSS肖特基结的有机-无机杂化太阳能电池。将通过水热法合成的层状材料硫化钴掺入PEDOT:PSS中。在PEDOT:PSS薄膜中分散均匀的硫化钴可以有效地提高薄膜的导电率和功函数。从而有效减少在有机导电薄膜和硅之间的电子空穴复合,提高空穴的传输效率。通过加入层状硫化钴,可以将光电转换效率从9.46%提高到11.22%。
  2.通过金属离子辅助溶液刻蚀技术制备双面硅纳米线阵列,并使用四甲基氢氧化铵修饰硅纳米线阵列。将得到的具有硅纳米阵列的硅片制成 Si/PEDOT:PSS结构的有机-无机杂化太阳能电池,并在硅片与背电极间引入由纳米氧化锌颗粒制成的空穴阻挡层。通过这种方法使得有机-无机杂化太阳能电池的效率提高到12.52%。效率的提升归功于硅纳米结构对光吸收的增加,背电极接触的改善以及空穴阻挡层对背面电荷复合的抑制。
  3.分别制备以P3HT:PCBM和PTB7:PCBM为活性层的有机太阳能电池,将水热法合成的层状材料硫化钴掺入活性层中,使得活性层的微观结构得到改善,有机材料的结晶性得到提高。通过 GIXRD测试可以证实层状材料硫化钴掺入活性层后有增强有机材料结晶性的作用。通过这种办法使得活性层的载流子迁移率得到提高,从而分别将有机太阳能电池的效率提高到4.46%(P3HT:PCBM体系)和9.28%(PTB7:PCBM体系)。

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