首页> 中文学位 >0.5微米掩模制造曝光及显影工艺改进
【6h】

0.5微米掩模制造曝光及显影工艺改进

代理获取

目录

文摘

英文文摘

声明

第1章绪论

1.1掩模概论

1.1.1掩模的概念

1.1.2掩模缺陷的概念

1.1.3掩模制造主要工艺及原理

1.2掩模发展概况

1.3本文研究内容

1.4本文结构

第2章当前工艺状况分析及改进方向提出

2.1工艺状况分析

2.1.1当前工艺问题统计

2.1.2缺陷形成工艺定位

2.2缺陷成因分析

2.3工艺改进方向

2.4本章小结

第3章工艺改进方案研究

3.1曝光剂量精细化控制

3.1.1精细化控制思想

3.1.2曝光图形区域细分

3.1.3区域曝光剂量设置

3.2显影工艺改进

3.2.1烘烤工艺改进研究

3.2.2曝光对显影工艺影响改进

3.2.3曝光与显影间隔时间改进

3.2.4显影温度稳定性提高

3.2.5显影液配比的改进

3.3本章小结

第4章实验分析

4.1曝光剂量精细控制法效果验证

4.1.1样品掩模的选取

4.1.2效果验证

4.2完整工艺验证

4.2.1试产设备及工艺参数

4.2.2首套掩模试产

4.2.3小批量掩模试产验证

4.3本章小结

第5章结论与展望

参考文献

攻读学位期间公开发表的论文

致谢

展开▼

摘要

就当前公司掩模制造而言,设备本身已经具备实现0.5微米掩模制造的能力,但由于受工艺水平的制约,目前生产只能实现O.8微米掩模加工。随着半导体器件尺寸的日益微小化,在实际的半导体生产需求中,对0.5微米以及更精细尺寸掩模的使用一直呈上升化趋势。为此,对公司当前掩模制造工艺水平的提升被提上了日程。 本文首先根据对现有掩模制造工艺中出现的问题统计,找出了阻碍工艺水平提高的主要问题,即图形畸变类缺陷和尺寸超差类缺陷。随后,针对这些主要问题进行了产生原因的分析,得出了光学邻近效应改进和显影工艺的优化是解决主要问题的方向所在。基于提出的主要问题的改进方向,文章进一步详细阐述了具体的改进方案。这些方案包括:通过曝光剂量精细控制法来解决光学邻近效应引起的凸出、连线和凹进等缺陷;优化烘烤工艺、减少曝光对显影的影响、减少曝光和显影间隔时间、提高显影温度的稳定性及改善显影液配比共5项措施来解决尺寸超差类缺陷。 作为对工艺改进效果的检验,上述所有具体改进方案最后都被应用于实际试产进行了验证。分批试产的6套共计71块掩模试产结果表明,结合了文中提出的曝光和显影工艺改进方案,掩模制作工艺水平实现了从0.8微米向0.5微米的提高。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号